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  • -100V大功率PMOS芯片:乐瓦微LWS1H25H5

  • 2024-05-28 18:03:20 阅读量:363

PMOSP-Channel MOSFET采用空穴作为载流子,其迁移率小于NMOS中的电子,独特的栅极负压开启机制,使其成为高端开关的理想选择。PMOS特性的优势在于可简化栅极驱动技术,降低应用的设计复杂度,从而降低整体成本。

乐瓦微-100V PMOS系列包含22 mΩ~800 mΩ 共计20余款成品,有SOT-23, SOT-223 , TO-252TO-220ABTO-263PDFN3.3*3.3PDFN5*6-8L等多种封装形式,其中:

 

LWS1H25H5VGS=-10V条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低至22TO-263Id可达 -65A;

LWS1H25HD5VGS=-10V条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低至22PDFN5*6-8L,Id可达 -55A;

 

具体参数如下表:

 

LW Product Name

Package

VDSS (V)

ID (A)

Vth

 Rdson(mΩ) @VGS=-10V

Ciss

(pF)

Coss

(pF)

Crss

(pF)

Qg

(nC)

(V)

Typ.

 Typ.

LWS1H45AD5

PDFN5*6-8L

-100

-28

-2

45

2100

168

26

38

LWS1H45A4

TO-252

-100

-32

-2

45

2100

168

26

38

LWS1H45A8

TO-220AB

-100

-36

-2

45

2100

168

26

38

LWS1H45A9

TO-220F

-100

-20

-2

45

2100

168

26

38

LWS1H25HD5

PDFN5*6-8L

-100

-55

-3

22

4276

336

25

52.1

LWS1H25H4

TO-252

-100

-55

-3

22

4276

336

25

52.1

LWS1H25H8

TO-220AB

-100

-65

-3

22

4276

336

25

52.1

LWS1H25H5

TO-263

-100

-65

-3

22

4276

336

25

52.1

 

乐瓦微-100V PMOS系列产品具有业内领先的RSP能力,可满足器件小型化的需求,进一步提升了产品的电流能力和功率密度,同时产品可靠性可达到车规级。广泛应用于电池保护、反极性保护负载开关及工业控制等领域

 

上海乐瓦微电子科技有限公司总部位于上海,在深圳和无锡设有分公司,是一家集MOS、LDO、DC-DC研发、设计、销售的先进半导体设计公司,也是上海市高新技术企业。

 

主要MOS产品门类:高压VDMOS(900~1500V系列)、中低压沟槽MOS(20V~250V NMOS;-20V~-40V PMOS)、中低压SGT-MOS(-150V~150V)以及LDO(高PSRR、低噪声、低Iq、高输入电压以及大输出电流五大系列)、DC-DC系列产品以及MCU系列产品。

 

乐瓦微依托国内外一线先进的晶圆生产平台,以及长电、杰群等优秀的封测平台,不断推陈出新,开发出一系列应用于工业控制、医疗、PC/服务器、消费电子、通讯电源、以及IOT等应用领域的高可靠性产品,同时坚定不移地持续提升技术创新,以卓越的性能和稳定的品质服务全球客户。

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